狂热的读者倾向于关注使用前沿工艺技术制造的微电子产品，就英特尔而言，这意味着未来几年将使用高数值孔径极紫外 （EUV） 光刻技术。去年年底，ASML开始向英特尔交付其下一代EUV光刻机——首款高数值孔径极紫外（EUV）Twinscan EXE：5000 High-NA EUV光刻系统，最近已经安装在了英特尔俄勒冈工厂。英特尔还发布了一个炫耀视频：

　　但是，英特尔的High-NA EUV目前仅用于研究和开发目的。不可否认，我们将在未来几年内使用的绝大多数芯片都将还是使用Low-NA EUV光刻工具制造，而不是High-NA EUV。

　　这就是为什么ASML的最新公告特别引人注目的原因。ASML本周交付了其第一台更新的Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E光刻机，用于晶圆厂安装。NXE：3800E是该公司0.33数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列的最新版本，旨在制造2nm和3nm级技术的芯片。

　　ASML 尚未公布该机器功能的完整细节，但该公司之前的路线图表明，更新后的 3800E 将提供更高的晶圆吞吐量和更高的晶圆对准精度 - ASML 称之为“匹配机器覆盖”。根据该路线图，ASML 预计使用其第五代低数值孔径 EUV 扫描仪每小时可加工200 片晶圆，这将标志着该技术的一个重要里程碑，因为EUV光刻技术的缺点之一是其吞吐率低于当今经过充分研究和调整的深紫外（DUV）机器。

　　对于 ASML 的逻辑和内存晶圆厂客户（目前名单上总共只有大约六家公司）来说，更新的光刻机将帮助这些代工厂继续改进和扩大其尖端芯片的生产。即使主要晶圆厂正在通过额外设施扩大运营规模，提高现有设施的吞吐量仍然是满足产能需求以及降低生产成本（或至少控制生产成本）的重要因素。

　　尽管 EUV 光刻机并不便宜——一台典型的光刻机成本约为 1.8 亿美元，而 Twinscan NXE:3800E 的成本可能更高——但完全摊销这些机器还需要一段时间。与此同时，交付更快的一代 EUV 光刻机将对 ASML 产生重大的财务影响，ASML已经享有作为这种关键工具的唯一供应商的地位。

　　继 3800E 之后，ASML至少还有一代低数值孔径EUV光刻机Twinscan NXE：4000F正在开发中。预计将于 2026 年左右发布。

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