去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，展示了一系列引领超大规模人工智能（AI）时代的创新技术和产品，并宣布推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智能应用，提高总拥有成本（TCO），并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。
今天三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠。其提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。
HBM3E 12H DRAM采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。这项技术预计会带来更多优势，特别是在更高的堆叠上，业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的裸片翘曲。三星不断降低其NCF材料的厚度，并实现了业界最小的芯片间隙（7µm），同时还消除了层间空隙。这些努力使其与HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。
三星的热压非导电薄膜技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，这种方法有助于提高产品的良品率。
三星表示，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。据了解，三星已经开始向客户提高HBM3E 12H DRAM样品，预计今年下半年开始大规模量产。
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